分体高密度氮化镓充电器

没什么好说的，就是改了个版型而已，测试数据参考上一个版本，该版本长度缩小了4.4mm，做的更加的紧凑了，为了更好的散热，功率小板用的是4层板子，层叠无要求。变压器承认书，请参考我开源的上一个版本。。

 

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后记1：关于优化效率与调整工作模式

之前在数码之家论坛有人反馈说我这个工作模式有点问题，这周查阅资料确实也发现了

这个氮化镓的Vds极的波形的确有点不对，根据对比资料，发现目前是工作于DCM模式。

而不是我所需要的QR模式。后面根据数据手册与实际调整验证测试，现在终于解决了。

之前是单纯的调整C14的电容值，发现无论怎么调整都是出于DCM工作模式，

今天突发奇想会不会是R17也影响到了呢，于是我拆掉C14，上示波器进行测试。

发现反馈的电压数值的确超了，导致控制器处于跳频模式中，使得输出纹波波动大。

于是调整了R17的电阻为1206 430K，C14电容调整为100pF之前，反馈正常了。

反馈电阻与电容不是一成不变的，需要按照实际进行调整，

例如旧版的那个，仅调整R17，且不需要C14电容都可以实现谷底导通。

这是因为我把功率小板立起来的缘故，虽然反馈等敏感走线走内层，但是被变压器给干扰到了。

现在工作模式也处于了理想的QR反激模式。实现了谷底导通，另外调整了一下RCD吸收电阻的消耗电阻R5

增大消耗电阻的阻值有利于提高一点点的转换效率，但更多的还是需要合理的绕制变压器。

 

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后记2：关于温升测试数据

这个测试数据是在板子上打了704硅胶后测得的，散热不太好，温升高一点，有时间再对比不打硅胶的温升

这个是整流桥的温度。

这个是RCD吸收电路中的快恢复二极管

这到是奇怪了，为啥我打了704硅胶之后，次级同步整流的芯片，温升反而低了

不知道是不是芯片问题还是什么。

由于打胶了之后，散热会有一定的影响，所以变压器的温升会高一点。

这个是氮化镓功率管的温升，小板整体的温升也较均衡。

说明散热情况还是良好。