
DRV8701_测试 | 验证板
简介
本项目是基于TI DRV8701栅极驱动器的H桥电机驱动验证板。该板旨在对DRV8701的各项特性进行全面测试与验证,方便开发者评估其在有刷直流电机驱动应用中的性能,并快速进行原型设计。
简介:本项目是基于TI DRV8701栅极驱动器的H桥电机驱动验证板。该板旨在对DRV8701的各项特性进行全面测试与验证,方便开发者评估其在有刷直流电机驱动应用中的性能,并快速进行原型设计。开源协议
:GPL 3.0
(未经作者授权,禁止转载)描述
项目功能
本验证板基于DRV8701设计,具备以下核心功能及应用场景:
单H桥电机驱动:驱动4个外部N-MOSFET,构成完整H桥,可驱动一个12V-24V有刷直流电机,支持正转、反转、刹车和滑行模式。
可编程电流调节:通过集成电流检测放大器与PWM斩波功能,实现电机峰值电流的设定与限制,有效抑制启动浪涌。
灵活栅极驱动配置:通过单个外部电阻,可对拉电流(6-150mA)和灌电流(12.5-300mA)进行5级调节,以优化MOSFET开关性能与EMI。
集成电源管理:板载DRV8701生成的4.8V(AVDD)和3.3V(DVDD)稳压输出,可为外部逻辑电路或传感器供电。
低功耗管理:支持通过nSLEEP引脚进入睡眠模式,大幅降低静态功耗。
项目参数
主控芯片:TI DRV8701 (可选择DRV8701E或DRV8701P版本)。
电源输入 (VM):5.9V - 45V DC,推荐12V-24V用于电机驱动。
逻辑接口电平:兼容1.8V, 3.3V, 5V。
栅极驱动电压 (VGS):典型值9.5V。
电流检测:支持外部检流电阻,放大器增益20 V/V。
集成LDO输出:
AVDD: 4.8V @ 最大30mA
DVDD: 3.3V @ 最大30mA
待机功耗:睡眠模式典型值10μA。
控制接口:
PH/EN模式:PH引脚控制电流方向(电机转向),EN引脚接收PWM信号控制电机速度/使能。
PWM模式:IN1和IN2引脚接收两路PWM信号,通过其组合(01,10,11,00)控制转向、刹车和滑行。
通过板载跳帽选择模式。
电流检测与调节:在H桥的下管与地之间接入精密检流电阻(Rsense)。其两端压降经DRV8701内部放大器放大后,通过SPx、SNx引脚输出。此信号可被MCU的ADC读取用于监控,同时芯片内部将其与设定的参考阈值比较,实现固定关断时间的PWM电流斩波(Chopper)控制。
栅极驱动强度配置:在DRIVE引脚与地之间连接一颗电阻(R_drive),根据数据手册曲线选择,以设定栅极驱动的拉/灌电流大小。
保护电路:所有保护功能由芯片内部实现。当触发任何保护时,nFAULT引脚会被拉低,可连接至MCU GPIO或LED进行指示。
注意事项
散热:驱动大电流时,外部MOSFET和检流电阻会产生大量热量,必须配备足够的散热器或采用大面积铺铜。
栅极电阻:Rg的选择至关重要。阻值过大会增加开关损耗,过小可能导致栅极振荡和EMI问题。建议根据MOSFET的Qg和驱动电流能力计算。
电源去耦:在VM引脚和芯片的AVDD、DVDD引脚附近,必须放置足够且贴近引脚的低ESR/ESL电容(如陶瓷电容),以提供瞬态电流并抑制噪声。
电流检测:检流电阻Rsense的功率额定值必须大于 I_peak^2 * Rsense。布局时需采用开尔文连接(Kelvin Connection)以获得准确测量。
地线分离:推荐将大功率地(电机电流、VM返回路径)与信号地(芯片逻辑部分、MCU)进行单点连接,以避免噪声干扰。
上电顺序:确保逻辑电压先于或与VM电压同时建立,避免逻辑引脚悬空。
故障恢复:部分保护(如TSD)为锁存型,需要触发nSLEEP或重新上电才能清除。
设计图
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暂无BOM
克隆工程工程成员
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