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QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板

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简介

QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板,采用0.11mm厚度的FPC+默认0.25mm厚度的Pi补强制作。

简介:QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板,采用0.11mm厚度的FPC+默认0.25mm厚度的Pi补强制作。
复刻成本:1

开源协议

GPL 3.0

(未经作者授权,禁止转载)
创建时间:2025-12-15 15:20:17更新时间:2025-12-17 16:45:11

描述

QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板

工程默认使用Pi0.25厚度补强,使用FPC0.11厚度下单。
如果你只是个人自用,完全足够了,eSIM芯片本身有厚度,不会因为补强不够厚导致接触不良。

注意:如果你需要将成品放入自弹卡槽,请在焊接时用镊子按压eSIM芯片。尝试后如果还卡住,则将eSIM芯片稍加打磨0.2mm左右,否则可能卡死在自弹卡槽中。

如果你需要更高强度等,可将Pi补强更换成FR4补强,厚度推荐使用0.6mm。

推荐使用广崎183℃有铅含银锡浆,在每个焊盘上稍微点一点,把eSIM芯片放上去,芯片上的小点对左上角(缺角朝左下时),使用热风枪或加热台,不超过280℃焊接即可。

话不多说,看图,自己就懂了。

设计图

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