
QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板
简介
QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板,采用0.11mm厚度的FPC+默认0.25mm厚度的Pi补强制作。
简介:QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板,采用0.11mm厚度的FPC+默认0.25mm厚度的Pi补强制作。开源协议
:GPL 3.0
(未经作者授权,禁止转载)描述
QFN8 5*6 eSIM转NanoSIM转接板
工程默认使用Pi0.25厚度补强,使用FPC0.11厚度下单。
如果你只是个人自用,完全足够了,eSIM芯片本身有厚度,不会因为补强不够厚导致接触不良。
注意:如果你需要将成品放入自弹卡槽,请在焊接时用镊子按压eSIM芯片。尝试后如果还卡住,则将eSIM芯片稍加打磨0.2mm左右,否则可能卡死在自弹卡槽中。
如果你需要更高强度等,可将Pi补强更换成FR4补强,厚度推荐使用0.6mm。
推荐使用广崎183℃有铅含银锡浆,在每个焊盘上稍微点一点,把eSIM芯片放上去,芯片上的小点对左上角(缺角朝左下时),使用热风枪或加热台,不超过280℃焊接即可。
话不多说,看图,自己就懂了。


设计图
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克隆工程工程成员
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