2023电子设计竞赛 C题 电容电感测量装置 国一 - 嘉立创EDA开源硬件平台

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标准版 2023电子设计竞赛 C题 电容电感测量装置 国一

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简介:2023电子设计竞赛 C题 国一

开源协议: GPL 3.0

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已参加:助力2023全国电赛

创建时间: 2023-06-29 10:23:45
更新时间: 2023-09-11 18:20:29
描述
## 一、团队介绍 团队有三名成员,来自西安交通大学,有幸在本次比赛中获得国一。 ## 二、题目要求 一、任务 基于 TI 公司的 MCU,设计并制作电感及其品质因数 Q、电容及其损耗角正 切 D 的测量装置。被测元件接入,一键启动后,在规定时间内自动完成测量。 测量装置要提供专用于监测测试频率的信号输出接口,用于实时监测装置的测试 频率,如图 1 所示。 ![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/40B3y0gUOuuYNVA288SZwhKHJSHA6uCAgzrNj0c7.png) 二、要求 1. 基本要求 完成电容量及其损耗角正切 D 的测量。 (1)电容量测量范围:1nF~100nF,测量相对误差的绝对值不大于 5%。 (2)电容 D 值测量范围:0.005~1,测量相对误差的绝对值不大于 5%。 (3)在 1kHz~100kHz 范围内,自定某一固定测量频率。 (4)测量时间不大于 1 秒。 2. 发挥部分 完成电感量及其品质因数 Q 的测量。 (1)电感量测量范围:10μH~100μH,测量相对误差的绝对值不大于 5%。 (2)电感 Q 值测量范围:1~200,测量相对误差的绝对值不大于 5%。 (3)装置可分别在不高于 2MHz 和不低于 20MHz 的两个频率范围内测量, 测量频率自定。 (4)测量时间不大于 5 秒。 (5)其他。 三、说明 (1) 本测量显示装置的所有处理器必须使用 TI 公司的 MCU(具体型号不 限),否则视为违规,不予测试。 (2)参赛队需要自备商用测量仪器,简称自备测量仪器,以便校准自制测 量装置。测评时,以自备测量仪器的测量值作为标准值计算测量误差。 (3)建议自制测量装置的测试频率与自备测量仪器的一致。 (4)可用并联或串联电阻的方式构成等效阻抗元件,校准自制测量装置的 参数。 ## 三、设计摘要 本装置利用伏安法实现了对电容以及电感的测量。装置由 DDS 信号发生、 驱动电路、核心待测电路、信号调理电路、TM4C123 核心控制模块、串口屏显 示模块构成。DDS 产生固定频率测试信号,在对输入和输出核心待测电路两端 口电压信号的调理后,将信号送入 MCU 内置的 ADC 模块,通过时域互相关的 方法得到两路信号的幅度和相位信息,进而反推电容值或电感值。对于寄生电容 引入的误差,我们采用平均和标定的方法进行校准。经过测试,本装置能够测量 1nF~100nF 的电容以及 10𝜇𝐻~100𝜇𝐻的电感,及其对应的 D 值或者 Q 值,且测 量时间及测量精度满足题目要求。 ## 四、题目分析 伏安法是利用测试信号经过被测网络后幅度的损失和相位的移动,来计算网络阻抗 的方法。对于理想电容元件,我们将其等效为一个复阻抗,即: ![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/yJ0cQAq07FS1vl2T5be0JMyTfWXGtjQus9PP1hjL.png) 其中,𝑍为电抗值,𝑗为虚数单位,𝜔为角频率,𝐶为电容值。Q 值定义为一个周期内, 储能元件存储和能量和损耗的能量之比,将实际电容或电感等效为理想储能元件与一等 效电阻的串联,由于串联下电流相同,因此对于电容,Q 值定义为: ![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/WMcMAiv8fLOxle4nakMYKpN1kQ0xPgDWqvGrXs3m.png) 其中,𝜔为角频率,𝑅为等效电阻值,𝐶为电容值。伏安法测量优点在于电路简单, 参数容易计算,且不会受到频率限制。 ## 五、总体设计框图 ![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/SFkK7D8vqch4vxYB0dnurCjFw23QSVP5U408kOlx.png) ## 六、硬件电路组成 ### 1 信号发生装置(成品模块): AD9959 是 ADI 公司发布的四通道、500MSPs、带 10 位 DAC 的直接数字频率合成 器,其每个通道的信号幅度、频率和相位均可独立控制,同时具备扫频功能。由于电感 的感抗值在低频下过小,考虑到对电感量和 Q 值的测量精度限制在 5%之内,我们选用 1.5MHz 的正弦波作为测试信号,可以利用 AD9959 和 MCU 进行 SPI 通信从而产生测 试信号。 ### 2 核心模块 用继电器驱动切换两个状态,一路是简单的电阻分压,用于对两路乘法器自带偏移进行校正,另一路是我们的测试电路,即伏安法中电阻与电容或电感的串联。![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/8IE734w66IfpNjuX386v8g9Ek9lVPQ2WmbwU0MG9.png) 注意,上面描述的是电路原理。在实物电路图中可以从“核心模块”PCB中展示。核心模块用继电器选择两路,其中一路是上述描述的“工作状态”,另一路是“校准状态”即两个电阻分压。附件中的代码展示了切换模式的思路。 ### 3 下变频电路 测电感时,我们采用1.5MHz的频率,但由于选用的MCU采样率有限,因此需要将其下变频至10kHz。 下变频电路使用AD835+低通滤波器模块即可。 ### 4 驱动电路(可用其他型号代替) 利用高速、电流反馈型运放例如 AD8007 构建驱动电路。AD8007 是 ADI 公司生产 的超低失真、高速电流型运算放大器,具有较强的后级驱动能力。利用本运放搭建同向 比例放大器,可以充分利用 AD8007 的带载能力,完成后级驱动。 ### 5 放大抬升调理电路 信号题最基本的电路了,将一个DC为0的信号经过放大或缩小后抬升至单片机可以接收的范围,此处不多赘述。我们使用的是TL081这款芯片,由于需要调理的信号只有10Khz,大部分运放都可以满足。 ## 七、程序流程图 ![image.png](//image.lceda.cn/pullimage/bXSal8i08egePKcYKGhZs0mXLL7PCAm21ySkvRRH.png) ## 九、注意事项 为了使电路可靠工作,不受噪声影响,在实际实现过程中我们注意了以下细节: 1) 由于调理电路存在驱动电路、低通滤波、放大抬升等模块,需要考虑级间阻抗匹配 以达到尽可能小的幅度损失。同时级间通过电阻进行隔离防止信号串扰。 2) 在制作 PCB 时,化学蚀刻方式会导致电路板存在 pF 级别的寄生电容,会对后续测 量产生印象,因此待测电路走线时应当尽可能短,且走线与地信号间隔适当增大。 ## 十、开源PCB使用方法 由于赛前已经在嘉立创准备了很多通用模块,因此在比赛中可以直接使用。 开源PCB中标记(通用模块)的便是赛前准备的模块,为了降低成本(haoyangmao),我们手动对单块PCB做了拼版。 下面解释开源PCB的用法: 放大抬升+驱动电路(通用模块):集成了DC放大、AC放大、DC+AC放大、加法多种功能的小模块\*6,是该作品中利用率最高的通用模块,同时建议大家准备电赛期间批量打板! 乘法器+滤波电路(通用模块):板上有电压基准\*3+AD835乘法电路\*3+低通滤波器\*3。由于本作品没有用到电压基准,因此没有公开原理图,这块PCB的左侧没有用。主要用到中间(AD835)和右侧(MFB低通滤波器)电路,选用的电阻电容见开源原理图。 ## 十一、附件内容 附件一:视频 附件二:NUEDC2023.rar——程序代码与串口屏工程
设计图
原理图
1 /
PCB
1 /
未生成预览图,请在编辑器重新保存一次
ID Name Designator Footprint Quantity
1 10n C1,C6 C0603 2
2 1u C2,C5 C0603 2
3 1.2n C3 C0603 1
4 1n C4,C8 C0603 2
5 6.8n C7 C0603 1
6 Z-211-0211-0021-001 H1,H2 HDR-TH_2P-P2.54-V-M-1 2
7 9.8k R1,R2 R0805 2
8 4.06K R3,R4 R0805 2
9 IN RF1 SMA-SMD_BWSMA-KE-P001 1
10 OUT RF2 SMA-SMD_BWSMA-KE-P001 1
11 KF301R-5.0-3P U1 CONN-TH_3P-P5.00_KF301R-5.0-3P 1
12 过孔盘1 U3,U4,U5,U7 过孔 4
13 ADTL082JR U2,U6 SOIC-8_L4.9-W3.9-P1.27-LS6.0-BL 2
14 0.1u C9,C10,C11,C12,C13,C14,C15,C16,C17,C18,C19,C20,C21,C22,C23,C24,C25,C26,C27 C0805 19
15 HDR-F-2.54_1x3 H3,H4,H5,H6,H7,H8,H9,H10 HDR-F-2.54_1X3 8
16 HDR-M-2.54_1x2 J1,J2,J3,J4,J5,J7,J8,J9 HDR-M-2.54_1X2 8
17 1k R5,R6,R7,R8,R9,R10,R11,R12,R13,R14,R15,R16,R18,R20,R21,R22,R23,R24,R25,R26,R27,R28,R29,R30,R31,R32,R33,R34,R35,R36,R37,R38,R39,R40,R41 R0805 35
18 R_3296W_US RP1 RES-ADJ-TH_3296W 1
19 电解电容_C9900022333 U8,U11,U14,U16,U19,U21,U29,U31 CAP-TH_BD6.3-P2.50-D0.5-FD 8
20 SMA-KE U9,U10,U13,U15,U18,U20,U23,U30,U33 SMA-SMD_SMA-KE COPY 9
21 AD835ARZ U12 SOIC-8_L4.9-W3.9-P1.27-LS6.0-TL 1
22 ADA4817-1ARDZ-RL U17 SOIC-8_L4.9-W3.9-P1.27-LS6.0-BL 1
23 13k R17 R0805 1
24 7k R19 R0805 1
25 OPA847ID U22,U32 SOIC-8_L4.9-W3.9-P1.27-LS6.0-BL 2
26 HDR-M-2.54_1x1 J6 HDR-M-2.54_1X1 1
27 FTR-B3GA4.5Z-B10 K1 RELAY-SMD_FTR-B3GA4.5Z-B10 1
28 CONN-TH_2P-P5.08 P1 CONN-TH_2P-P5.08 1
29 S9013-G Q1 SOT-23-3_L2.9-W1.3-P1.90-LS2.4-BR 1
30 SMA-KE U24,U25,U26,U27,U28 SMA-SMD_SMA-KE 5

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NUEDC2023.rar

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