12V继电器 mos方案（光耦隔离）（已经测试）

MOS管G极与S极并联电阻原因：

1、防ESD静电的作用，避免处在一个高阻态。这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免MOS管误动作，从而损坏MOS管的栅GS极
2、提供固定偏置
3、阻值一般取5K至数10K左右，太大影响 MOS 管的关断速度。 太小驱动电流会增大，驱动功率增大

MOS管特点：

1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关
2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗
3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式
4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零
5、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度
6、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源
7、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏

MOS管与三极管的区别：

三极管是电流控制，MOS管是电压控制，主要有如下的区别：

1、只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管
2、MOS管是单极性器件(靠一种多数载流子导电)，三极管是双极性器件(既有多数载流子，也要少数载流子导电)
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好
4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作
5、MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大
6、MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制

理论参数

输入电压应保持在20V以内（建议最高4s使用）

单路持续电流应保持在4A以内（建议3A）

实验原理

IO口输出低电平时，三极管截止，PMOS管栅极为高电平截止。

IO口输出高电平时，三极管导通，PMOS管栅极为低电平导通。

实物效果图

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2023.5.9 更新最终版 光耦隔离方案 同时不再对此PCB方案进行迭代