【古善】RCM尖峰吸收-点焊机尖峰吸收 （适配开源7400系列）

RCD本质吸收当主MOS关断有 由于回路寄生电感所产生的VDS峰值脉冲尖峰。

此模块当尖峰电压超过设定阈值，辅助同步MOS导通，电容吸收尖峰能量。当尖峰能量消失，辅助mos关断，吸收电容通过卸放电阻进行泄放，准备迎接下次脉冲。

1. **高效能量吸收**：
- 采用6颗5300μF/25V低ESR电解电容并联，总容量31.8mF，可安全吸收高达9.7J的能量（25V放电至2.5V）。
- 结合40颗22μF/25V MLCC，实现超低总ESR（<0.6mΩ），显著降低吸收过程中的电阻损耗。

-实测1.7WA短路电流吸收依旧工作良好。

2. **快速泄放技术**：
- 使用12颗33Ω/3W 2512封装电阻并联（总阻3Ω），结合优化的PCB铜箔散热设计（4层板，2oz铜厚），可在136ms内将电容电压从25V安全泄放至6V。

3. **尖峰电压深度抑制**：
- 在回路寄生电感0.4μH、关断电流7000A的严苛条件下，配合TVS模块，可稳定将尖峰电压压制在≤24V（主MOS耐压40V）

Update

2025.09.12：BOM稍晚些整理下，实际上件略有不同

2025.09.18：思考片刻 BOM过于简单，稍微描述下，包括理论推导过程，方便大家自行计算符合自己需求的点焊机尖峰吸收电路

A、SMBJ10CA、SMBJ6.3CA负责在尖峰脉冲来临后提供辅助MOS开启电压，实测次搭配在22V VDS尖峰电压情况下，VGS可达到8.5-9.5V。

B、辅助MOS选型需要结合点焊机整体回路寄生电感&点焊电流（焊把线越长、点焊电流越大时，寄生电感导致的关断能量越高），通常选同批次 VDS与吸收电容耐压相同，Rdson1-4moh左右均可。

C、泄放电阻选择：电阻不易过小，过小会导致辅助MOS导通时，大量电流经过泄放电阻，发热严重。同时当辅助MOS关闭时，R会给吸收电容放电，较小阻值也会导致发热&烧毁（贴片电阻短时间脉冲放电，需要计算温度，若温度合理则可使用）。过大导致放电时间增加，下次点焊时电容尚未完成放电。具体需要计算RC常数，确定放电时间。个人选择20-33Ω，并联12颗或20颗。

D、吸收电容选择：同样根据点焊设备峰值能量计算，用电容耐压和容量计算能够吸收的能量J，电容总能量应该＞尖峰脉冲能量。

注意！！ 由于采用TVS+RCD双层吸收，所以本设计仅吸收TVS后段 25V内尖峰能量，若仅采用RCD 需要提高吸收电容&辅助MOS耐压！！！

禁止闲鱼兜售 欢迎修改开源发布

适配7400 MOS板 开源链接：https://oshwhub.com/kkaiwan/dian-rong-dian-han-ji-7400a

另外适配有3D打印 配套外壳：https://makerworld.com.cn/zh/models/1514944-gu-shan-si-dian-rong-dian-han-ji-kai-yuan-wai-ke#profileId-1687145