
太阳能DC-DC
简介
本模块基于CN3791芯片,具有太阳能电池最大功率点跟踪功能MPPT的4V单节锂电池的充电模块。
简介:本模块基于CN3791芯片,具有太阳能电池最大功率点跟踪功能MPPT的4V单节锂电池的充电模块。开源协议
:GPL 3.0
描述
简介:本模块是基于CN3791芯片,具有以下特点:
太阳能板最大功率点跟踪功能
宽输入电压范围:4.5V 到 28V
对单节锂电池完整的充电管理
充电电流可达 4A
PWM 开关频率:300KHz
恒压充电电压: 4.2V±1%
恒流充电电流由外部电阻设置
对深度放电的电池进行涓流充电
自动再充电功能
充电状态和充电结束状态指示
软启动功能
电池端过压保护
工作环境温度:-40℃ 到 +85℃
采用 10 管脚 SSOP 封装
产品无铅,满足 Rohs,不含卤素
应用信息如下:
1.恒流充电电流的设置
恒流充电电流由下式决定:
Ich=120mV/Rcs
其中: ICH 是恒流充电电流
RCS 是连接于CSP管脚和BAT管脚之间的电流检测电阻
2.太阳能电池最大功率点跟踪
CN3791采用恒电压法跟踪太阳能板的最大功率点。在太阳能板的伏安特性曲线中,当环境温度一定时,在不
同的日照强度下,输出最大功率的点所对应的输出电压基本相同,亦即只要保持太阳能板的输出端电压为恒
定电压,就可以保证在该温度下光照强度不同时,太阳能板输出最大功率。
CN3791太阳能板最大功率点跟踪端MPPT管脚的电压被调制在1.205V,配合片外的两个电阻构成的分压网络,可以实现对太阳能板最大功率点进行跟踪。
太阳能板最大功率点电压由下式决定:
VMPPT=1.205×(1+R3/R4)
3.充电结束
在恒压充电模式,充电电流逐渐下降,当充电电流下降到恒流充电电流的16%时,充电过程结束,外部P型场
效应晶体管被关断,充电电流变为零
器件选择:
1.输入电容
输入电容对输入电源起滤波作用,需要吸收在输入电源上产生的纹波电流,所以输入电容必须有足够的额定纹波电流。在最坏情况下,输入电容的额定RMS纹波电流需要达到充电电流的二分之一。同时为了抑制寄生电感等在开关瞬间产生的高频振荡,输入电容最好由下面三个电容并联组成:
电解电容:电容值由输入电源的特性和充电电流等因素决定
陶瓷电容:电容值在1uF到10uF
高频陶瓷电容:电容值在47nF到100nF
2.输出电容
为了降低输出端的纹波电压和改善瞬态特性,输出电容应该选择串联等效电阻(ESR)较小的电容。
输出电容最好由下面两个电容并联组成:
电解电容:电容值10uF
陶瓷电容:电容值在1uF到10uF
3.电感的选择
在正常工作时,电感瞬态电流是周期性变化的。在P沟道MOS场效应晶体管导通期间,输入电压对电感充电,
电感电流增加;在P沟道MOS场效应晶体管关断期间,电感向电池放电,电感电流减小。电感的纹波电流随
着电感值的减小而增大,随着输入电压的增大而增大。较大的电感纹波电流会导致较大的纹波充电电流和磁
损耗。所以电感的纹波电流应该被限制在一个合理的范围内。
在选取电感值时,可将电感纹波电流限制在△IL≤0.3×ICH,ICH是充电电流。请留意最大电感纹波电流△IL
出现在输入电压最大值和电感最小值的情况下。
电感值应该同时满足下面公式要求:
L>5*(VCC-Vbat)
为保证有较低的电磁辐射,电感最好为贴片式屏蔽电感。
4.MOSFET的选择
CN3791的应用电路需要使用一个P沟道MOS场效应晶体管。选择该MOS场效应晶体管时应综合考虑转换效
率,MOS场效应晶体管功耗以及最高温度。
在芯片内部,栅极驱动电压被钳位在6.3V(典型值),可以使用低开启电压的P沟道MOS场效应晶体管。所以需
要留意该MOS场效应晶体管的击穿电压BVDSS要大于最高输入电压。
选择P沟道MOS场效应晶体管时需要考虑的因素包括导通电阻Rds(on),栅极总电荷Qg,反向传导电容CRSS,
输入电压和最大充电电流。
5.二极管的选择
肖特基二极管通过电流能力至少要比充电电流大;二极管的耐压要大于最高输入电压的要求。


设计图
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