原工程链接https://oshwhub.com/qwerqwerqwer/yousibi

（立创电赛工程，比赛截止无法修改）

视频链接：（占个坑）

实物图

（感谢立创面板的支持，非常好看）传送门：https://dos.szlcsc.com/

工程里也包含面板文件，可自行添加图片

原工程中包含V1.0 和V1.2版本（硬件区别）

V1.0：电压范围5-40V（实测4V系统可以工作，但是无法支持诱骗3.3V）

V1.2：电压范围3.3-20V（尽量不要超过20V,耐压小了）

下面介绍V1.2版本的方案，以及复刻注意细节

V1.2方案说明

主控IC：N32G430K8Q7 （ 因为本来想选用20pin的N32G430系列，无奈买不到货）

诱骗IC：2711  （多达20多种诱骗协议 ，支持读取报文，iic接口）

dc-dc IC：SY7208ABC （3-25V电压范围，升压芯片改升降压电路，实测25V会烧，有破坏性视频）

电压采样：电阻分压

电流采样：INA199B

存储：flash模拟eeprom

软件移植了一个小型时间片调度操作系统，下面为编译大小

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    Total RO  Size (Code + RO Data)                56636 (  55.31kB)
    Total RW  Size (RW Data + ZI Data)             14640 (  14.30kB)
    Total ROM Size (Code + RO Data + RW Data)      57348 (  56.00kB)

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代码利用率极高，N32G430K8Q7的flash也才64k，sram16k

也方便替换成其他国产ARM的芯片

属于低成本方案了

主要芯片 n32g430k8q7+ina199b+2711

成本预估：4+2+5.5

（可自行搜索）

https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z09.2.0.0.7f502e8dbcyCom&id=678110588410&_u=821i1h548593

https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z09.2.0.0.7f502e8dbcyCom&id=670426336364&_u=821i1h54a7ef

https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z09.2.0.0.7f502e8dbcyCom&id=599889040281&_u=821i1h549745

TYPE-C USB 3.1 夹板式 立式插座24P 双向正反插快充接口公头母座

https://detail.tmall.com/item.htm?_u=821i1h54d4ab&id=649939869284&spm=a1z09.2.0.0.7f502e8dbcyCom

公母头都是这个链接（公头板厚1.0有点紧，有条件可以打0.8厚度的板子）

硬件说明

电源电路：DCDC采用SY7208ABC （3-25V电压范围），此拓扑电路为speic，升压芯片改升降压电路

C口电路直连，用这个听歌也无压力

电压电流采样电路

采样电阻采用的是合金大功率精密超低阻采样电阻

购买链接

https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z09.2.0.0.71a22e8djxbI3W&id=612180698269&_u=u21i1h5444e8

屏幕用的是：中景园0.96寸

FPC接口为下接

软件部分

有开发能力的小伙伴可以索要代码，进行二次迭代

1.软件框架

2.初始化部分

3.软件避坑

其他注意点

（描述不对之处多多包涵）

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