GS6516B-氮化镓半桥

GS66516B是一款基于硅基功率晶体管的增强型氮化镓器件。氮化镓的特性使其具备高电流承载能力、高电压击穿能力和高开关频率。氮化镓系统采用了多项行业领先的创新技术，例如专利岛状技术®和GaNPX®封装技术。岛状技术®的单元布局实现了大电流芯片设计与高良率；GaNPX®封装则能在小型封装中实现低电感与低热阻特性。GS66516B采用底部散热设计，为严苛的高功率应用提供了极低的结-壳体热阻。这些特性共同确保了极高的功率开关效率。

Si827x隔离器非常适合驱动广泛应用于电源、逆变器和电机控制领域的功率开关。Si827x隔离栅极驱动器采用Skyworks专有的硅隔离技术，根据UL1577和VDE0884标准可承受高达2.5 kVRMS的耐压。该技术具备业界领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、更低的温度与老化影响、更优的器件间匹配性以及极高的可靠性。此外，它还具备独立上/下拉输出、 UVLO 故障时驱动器自动关断以及精确死区时间可编程等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，Si827x系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。Si827x驱动器采用Skyworks专有硅隔离技术，可提供高达2.5 kVRMS的耐压性能及60纳秒的快速信号传播时间。驱动器输出端可接地至相同或独立的地线，也可连接正电压或负电压。支持 TTL 电平输入且滞后量大于400 mV，提供独立控制输入（Si8271/2/3/5）或 PWM 输入（Si8274）两种配置。高集成度、低传播延迟、小巧的安装尺寸、灵活性及成本效益使Si827x系列成为各类隔离MOSFET/ IGBT 以及碳化硅或氮化镓场效应晶体管栅极驱动应用的理想选择。汽车级产品在制造过程的每个环节均采用专为汽车领域设计的工艺流程进行生产，以确保其具备汽车应用所需的坚固性及低缺陷率。