采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块

采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块，可采用MOSFET/IGBT，搭配本人发布的隔离DC-DC模块使用。采用1200V/27A SiC MOSFET跑过100kHz，直流侧700V以上将可能击穿管子，最多跑到过约10A。