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采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块
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简介
采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块，搭配本人发布的隔离DC-DC模块使用。
简介：采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块，搭配本人发布的隔离DC-DC模块使用。开源协议
：Public Domain
创建时间：2021-12-17 08:33:51更新时间：2023-06-13 01:23:43
描述
采用TO247封装的MOSFET或IGBT的半桥模块，可采用MOSFET/IGBT，搭配本人发布的隔离DC-DC模块使用。采用1200V/27A SiC MOSFET跑过100kHz，直流侧700V以上将可能击穿管子，最多跑到过约10A。
BOM
| ID | Name | Designator | Footprint | Quantity |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 1uF | C1,C8 | C0805 | 2 |
| 2 | 100nF | C2,C9 | C0805 | 2 |
| 3 | 10uF | C3,C4,C10,C11 | C0805 | 4 |
| 4 | 10nF | C5,C6,C12,C13 | C0805 | 4 |
| 5 | C3D2K205KB00C00 | C7 | CAP-TH_L32.0-W9.0-P27.50-D0.8 | 1 |
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