LM2596升降压电路(附仿真图)

1年前

简介:LM2596做降压很常用,当做升降你听说过没?(不是负电压输出那种) 测试芯片为lm2596及脚位兼容的芯片,这里选择AP1501(物料号:C360640)来测试。

开源协议: GPL 3.0

描述

前提条件:

建议输入电压12~18V。硬件保护范围为10~20V,超出这个范围电源就会停止工作。

原理讲解:

电路拓扑类似双管正激,

将2596输出接至MOS管栅极,使MOS管同时导通,电感储能。

2596截止时,由于电感电流不能突变,栅极电压被拉低,D1导通钳位-0.5V,MOS管截止,电感电流经过D1,D2输出。

D3,D4为电感反向电流钳位。

TL431生成电压基准配合LM393比较使电路在规定电源电压范围内工作,以保护MOS管

制作过程

IMG_20200410_133308.jpg

IMG_20200410_152838.jpg

上机测试:

输入12V,输出5V2A

输出纹波 AkrytKZI6uulFAC0WLSUWl4qZW8gBZm4lZPPpTvB.jpg

MOS管栅源电压波形 9LIxQs6EPywWW7Zh5IumSSaCAV9cDzCDD8wv8Is9.jpg

测试数据:

输入电压(V) 输入电流(A) 输出电压(V) 输出电流(A) 效率(%) 纹波(mV) 占空比(%)
11.92 0.631 10.92 0.503 73 30 51
11.9 1.625 17.21 0.8 71 40 57
18.02 0.414 10.88 0.509 74 30 46
17.86 1.61 21.4 1.002 74 64 52
14.9 1.227 17 0.8 74 48 53

上表的纹波估计打个5折才是实际,带宽限制忘了开,再测了一遍,纹波低了一半以上

看了一下芯龙的pdf,官方xl6009的sepic拓扑效率在80%上下,估计我换个mos管的降压芯片效率就和他平起平坐了

文档

PCB_2020-04-02 22:05:36

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BOM

ID Name Designator Quantity
1 33uH L1 1
2 1nF CX 1
3 1N4148 D5,D6,D7,D8 4
4 SS36 D1,D2,D3,D4 4
5 12 V1 1
6 DC-005-25A J1 1
7 3.3K R2 1
8 Square(150k 10 11 1) XFG1 1
9 BSS123 M1 1
10 4.7uH L2 1
11 IRFS3607TRLPBF Q1 1
12 WJ301V-5.0-2P J2,J3 2
13 100K R1 1
14 33u L3 1
15 LM2596DSADJG U1 1
16 10K RN1 1
17 Oscilloscope XSC1 1
18 RED LED 1
19 100 R7 1
20 20K R3,R6 2
21 LM393DR U2 1
22 TL431_C181103 U3 1
23 6.8K R4,R5 2
24 2N2222 Q2 1
25 680u C6 1
26 220uF C1,C2,C3,C4,C5 5

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