简介：

        BQ24640是一款600KHz开关频率，NMOS-NMOS同步降压拓扑的超级电容充电控制器，支持5-28V输入电压，2.1-26V输出电压；带有CC-CV模式切换，可支持对超级电容等器件的0V起充功能，支持高达10A的充电电流，同时可保持高于90%的效率，支持电容高温保护功能。同时，在休眠模式下，当输入电压撤去时，电容端电流低至15uA,可减少能量消耗。

 

主要器件/复刻注意事项：

1.MOS管我采用的是APG068N04G，某宝约6毛一颗，40V耐压，10Vgs下导通电阻小于6.8mΩ，Ciss为840pF；实测下来感觉导阻有些高，BQ24640驱动起来还行，不是很吃力，应该可以上Ciss更大的MOS管。

2.贴片功率电感采用某宝很常见的1770封装一体成型式贴片屏蔽电感，6.8uH,体积稍大，但9.5A下实测温升不高，实际应用下若有体积要求，可使用更小一号的封装，且对纹波要求不高的情况下可适当减小感值（如使用4.7uH或3.3uH）。

3.对于10A应用，官方推荐输入输出电容最少需要两个47uF电容并联，串接电阻的电容作为RC滤波器使用，防止电源接入时电容充电，线路的寄生电感产生高压尖峰击穿MOS管与主控IC，主控I2C的供电RC滤波器中，R的取值不宜太大，官方推荐为4.7-30欧，封装需要0805或1206。

4.电流采样电阻需要注意功率及温漂，实测对于10A应用，5mΩ，2512封装的电流采样电阻，室温23°下温升较大（达到60-70°）在电流临近设置的过流保护电流时可能会导致误动作，需要注意。

5.MOS管驱动电路部分，二极管需采用快恢复二极管，对于该布局，实测2欧的栅极驱动电阻就可获得良好的栅极驱动波形，其它布局需要实测并做一定调整。

实测数据：

以下所有数据的测试条件均为：

1.室温23°

2.12V转5.2V，电子负载恒流模式

3.测试仪器：

示波器：汉泰DSO2C15

电源：ETM3010P

电子负载：DCL8003+

热成像仪：艾睿光电C210

由于个人精力及水平有限，无法做到控制太多变量，因此此数据仅作参考。

1.MOS管栅极驱动波形

高端MOS（对地）

低端MOS（对地）

（由于各功率段波形基本不变，因此仅测试一组）

以下为恒流测试，分别为输入端电压与输出端电压，部分带有温度稳定后的热成像图片

1A负载恒流测试：

输入端：

输出端：

（确实是这个值，不是接触不良没测到之类的，因为如果接触不良没测到的话感应噪声会更大）

 

3A负载：

输入端：

输出：

 

5A负载：

输入：

输出：

 

7A负载：

输入：

输出：

 

8A负载：

输入：

输出：

 

9A负载：

输出：

 

9.5A负载：

输入：

输出：

 

长时间温升：

9A负载30分钟，上管温升最大：

可以看到，上管90度左右，下管77度左右

电流采样电阻温度也不小，将近80度，再往上9.5A，采样电阻温漂增大，导致主控误判断过电流而停机，无法测试，建议长时间使用，电流控制在9A以下

主控IC就比较凉快了，只有61度左右，感觉可以再换Ciss更大些，导阻更低些的管子。

电感由于是金属，发射率不同，只能使用热电偶测温，温度为65度左右，算是比较凉快。

 

另外的注意事项：

若使用电子负载恒流模式测试，若不小心触发过流保护导致IC打嗝启动，低压输出时下管与IC温度上升迅速，当心烧毁！