1.   简介

本项目采用的是STM32G431CBU6芯片。作者在2025年10月开始开发时，这款芯片的价格还没涨，但最近一看，已经贵了好几倍。后续计划改用STM32F411系列芯片。最后温馨提示：作者还是学生，刚入门水平，求轻喷，有任何意见都虚心接受！

2.硬件设计

1.1  全桥设计

核心器件与管脚定义

功率开关管 (MOSFET)： 电路由 4 个型号为 AON7410 的 N 沟道场效应管（NMOS）组成。

左半桥： Q16 是左侧上管（高侧），Q17 是左侧下管（低侧）。

右半桥： Q18 是右侧上管（高侧），Q19 是右侧下管（低侧）。

电源与输出：

VIN：主电源输入（通常连接电池或直流电源）。

地标志 (⬇)：系统的公共参考地。

A+ 和 A-：功率输出端，通常连接到直流电机的两极。

控制信号（栅极驱动）：

A_L_H / A_L_L：分别控制左侧上管和下管的开关。

A_R_H / A_R_L：分别控制右侧上管和下管的开关。

反馈节点：

SH_AL 和 SH_AR：分别是左右桥臂的中点（Switch Node）。它们通常连接到前级栅极驱动芯片（Gate Driver），用于自举升压电路的参考地

2.2栅极驱动

对于 DRV8701P，单片机给出怎样的信号，H 桥就会作何反应

IN1 = 0, IN2 = 0：自由滑行 (Coast) - H 桥全部关闭。

IN1 = 1, IN2 = 0：正转 (Forward) - Q16 和 Q19 导通。

IN1 = 0, IN2 = 1：反转 (Reverse) - Q18 和 Q17 导通。

IN1 = 1, IN2 = 1：刹车 (Brake) - Q17 和 Q19 (两个下管) 同时导通