FLASH模块

9个月前

简介:金朗STM32F103RCT6高教开发板外置FLASH模块(W25Q16),适用任何开发板学习使用

开源协议: GPL 3.0

工程来源: 克隆自 FLASH模块

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描述

  • 有序列表该模块可与开发板底板使用也可以单独的使用。
  • 该模块供学习使用,禁止进行商业用途,提供模块原理图和PCB,用户可自行设计使用
  • 表该模块采用W25Q16(商城编号:C82317)封装为SOIC-208mil的FLASH芯片,该串行闪存提供对于有限的空间,引脚和电源系统的存储解决方案,W25系列的芯片性能元大于普通的串行闪存器件,芯片阵列是由256个字节4096可编程页组成。
  • 可以根据个人需求对芯片进行更换其型号为W25Q32(商城编号:C82344)、W25Q64(商城编号:C83140)、W25Q128(商城编号:C97521)封装为SOIC-208mil的存储芯片
  • 技术参数:
  1. 工作电压:2.5 ~ 3.6 V
  2. 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时小于1μA
  3. 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节)
  4. 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz
  5. 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除
  6. 一次写入最多256字节
  7. 软件/硬件写保护功能
  8. 数据长时间保留
  9. PCB外形尺寸:20mm x 15mm
  • PCB照片:
  • 以后会进行更新 -焊接好实物照片 图片3.png
  • 尺寸图: 图片1.png
  • 引脚定义:
  • VCC:该模块的供电电压为3.3V,由开发板进行供电;
  • CS:模块的片选输入,可启用或者禁用设备操作;
  • SO:数据的输出;
  • SI:数据输入;
  • CLK:串行时钟输入,提供串行输入和输出的时序。
  • GND:电源地
  • 封装尺寸图: 图片2.png
  • 注意事项:在与开发板配合使用并安装该模块时要注意板子上标注的箭头方向与开发板上的标注一致。插反会导致模块不工作甚至烧毁模块上的芯片。

BOM

ID Name Designator Footprint Quantity BOM_Manufacturer Part BOM_Manufacturer BOM_Supplier BOM_Supplier Part
1 100nF C1,C2 0603 2 CT41G-0603-2X1-50V-0.1μF-K(N) TORCH LCSC C125205
2 220S-1*4P H=8.5MM Ytype Gold-plated H1,H2 HDR-TH_4P-P2.54-V 2 220S-1*4P H=8.5MM Ytype Gold-plated Ckmtw LCSC C124413
3 GD25Q32CSIG U2 SOP-8_L5.3-W5.3-P1.27-LS8.0-BL 1 GD25Q32CSIG GigaDevice LCSC C79075

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