1、简单易用，可快速上手
2、流畅支持300个器件或1000个焊盘以下的设计规模
3、支持简单的电路仿真
4、面向学生、老师、创客
1、全新的交互和界面
2、流畅支持超过3w器件或10w焊盘的设计规模，支持面板和外壳设计
3、更严谨的设计约束，更规范的流程
4、面向企业、更专业的用户
专业版 无刷电调_CW32
简介：训练营续芯源CW32的无感无刷电调完整版本，硬件参考来自酷电科技馆大佬的无刷电调；
开源协议: GPL 3.0
题目要求
无感无刷电调
题目分析
主要分电源，主控，驱动，运放；支持FOC，但是还没弄，目前就是一个简单的电调；
原理图设计说明
电源
栅极驱动电源，3S-6S供电，如果只是3S电池的话，这个buck焊不焊都可以，直接接线过来。
芯片供电的，看需要修改吧；我是后面发现买的那个调速器要5v，然后想起这个cw32芯片供电3.3/5v都可以，所以后面换成5V了，正好手里面有，和这个LDO是一个系列的SPX3819-5.0；
栅极驱动，自举升压；
电流电压，三相都留了，为后面拓展开发预留；
三相六臂桥；
20ohm电阻作用（没20ohm的话100ohm也是常见的栅极串联电阻）：
- 防止震荡 ；一般单片机的 I/O 输出口或者PCB走线都会带点杂散电感，在电压突变的情况下可能和栅极电容形成 LC 振荡，当它们之间串上 R17 后，可增大阻尼而减小振荡效果
- 减小栅极充电峰值电流; 当栅极电压拉高时，首先会对栅极电容充电,查阅数据手册（IRFR1025）里面的栅极充电量Qc为65nC,上升时间tr为69ns，开通延迟时间td(on)为7.3ns,按公式计算= 0.85A, 已经超过了单片机的 I/O 输出能力， 串上 R17 后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。
- 护场效应管的 D-S 极不被击穿; 当栅极关断时，NA-管的 D-S 极从 导通状态变为截止状态时，漏源极电压Vds 会迅速增加，如果dV/dt过大，就会击穿器件， 所以添加栅极电阻可以让栅极的电压缓慢变化（放慢栅极电容的充放电），而不至于使器件击穿；
PCB设计说明
1、大容量电容器靠近电源模块或电路板电源入口点放置。在电机驱动系统设计中，大容量电容器可大幅度减轻低频电流瞬变的影响，并存储电荷以在电机驱动器开关时提供所需的大电流；
2、双NMOS电机驱动器件都使用电荷泵电容器或自举电容器来完全开关高侧 N 通道 MOSFET 的栅极。这些电容器应尽可能靠近电机驱动器件放置；
3、将电容器尽可能放置在靠近器件电源输入引脚和接地引脚的位置。旁路电容器将进入 器件电源引脚的高频噪声尽量降低；
4、两种典型配置的常见 MOSFET 的放置和布局方式：分别为半桥堆叠和半桥并排；可最大限度地降低高侧 MOSFET 的源极与低侧 MOSFET 的漏极之间的电感，预防振铃（开关节点振铃是开关节点上由于 PCB 和功率 MOSFET 的寄生效应而产生的 LC 振荡。开关节点振铃会导致 EMI 并产生过冲和下冲电压，这些值会超出 MOSFET 漏源电压和栅极驱动器引脚的绝对最大额定值。此外，还会降低功率级的效率。）；
5、对完整的大电流环路使用正确的布线宽度，最大限度地降低该电感可将电压纹波和噪声尽可能降低，并可减少对额外旁路电容的需求。右图才是最佳布局，uu们可以参考；
6、电流检测开尔文连接，必须使用差分对来完成感测信号的布线；（后面回来看我这样走开尔文连接是不对的，避雷）
正确姿势如下：
或者使用专门的检流电阻：
软件说明
就基本功能，能转；电流环什么的先挖坑，填不填不一定。
实物展示说明
注意事项
注意安全；
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