无刷电调_CW32 - 嘉立创EDA开源硬件平台

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专业版 无刷电调_CW32

简介:训练营续芯源CW32的无感无刷电调完整版本,硬件参考来自酷电科技馆大佬的无刷电调;

开源协议: GPL 3.0

(未经作者授权,禁止转载)

创建时间: 2022-09-01 21:30:23
更新时间: 2024-04-11 21:32:35
描述

题目要求

无感无刷电调

题目分析

主要分电源,主控,驱动,运放;支持FOC,但是还没弄,目前就是一个简单的电调;

原理图设计说明

电源

栅极驱动电源,3S-6S供电,如果只是3S电池的话,这个buck焊不焊都可以,直接接线过来。

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芯片供电的,看需要修改吧;我是后面发现买的那个调速器要5v,然后想起这个cw32芯片供电3.3/5v都可以,所以后面换成5V了,正好手里面有,和这个LDO是一个系列的SPX3819-5.0;

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栅极驱动,自举升压;

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电流电压,三相都留了,为后面拓展开发预留;

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三相六臂桥;

20ohm电阻作用(没20ohm的话100ohm也是常见的栅极串联电阻):

  • 防止震荡 ;一般单片机的 I/O 输出口或者PCB走线都会带点杂散电感,在电压突变的情况下可能和栅极电容形成 LC 振荡,当它们之间串上 R17 后,可增大阻尼而减小振荡效果
  • 减小栅极充电峰值电流; 当栅极电压拉高时,首先会对栅极电容充电,查阅数据手册(IRFR1025)里面的栅极充电量Qc为65nC,上升时间tr为69ns,开通延迟时间td(on)为7.3ns,按公式计算= 0.85A, 已经超过了单片机的 I/O 输出能力, 串上 R17 后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。
  • 护场效应管的 D-S 极不被击穿; 当栅极关断时,NA-管的 D-S 极从 导通状态变为截止状态时,漏源极电压Vds 会迅速增加,如果dV/dt过大,就会击穿器件, 所以添加栅极电阻可以让栅极的电压缓慢变化(放慢栅极电容的充放电),而不至于使器件击穿;

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PCB设计说明

1、大容量电容器靠近电源模块或电路板电源入口点放置。在电机驱动系统设计中,大容量电容器可大幅度减轻低频电流瞬变的影响,并存储电荷以在电机驱动器开关时提供所需的大电流;

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2、双NMOS电机驱动器件都使用电荷泵电容器或自举电容器来完全开关高侧 N 通道 MOSFET 的栅极。这些电容器应尽可能靠近电机驱动器件放置;

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3、将电容器尽可能放置在靠近器件电源输入引脚和接地引脚的位置。旁路电容器将进入 器件电源引脚的高频噪声尽量降低;

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4、两种典型配置的常见 MOSFET 的放置和布局方式:分别为半桥堆叠和半桥并排;可最大限度地降低高侧 MOSFET 的源极与低侧 MOSFET 的漏极之间的电感,预防振铃(开关节点振铃是开关节点上由于 PCB 和功率 MOSFET 的寄生效应而产生的 LC 振荡。开关节点振铃会导致 EMI 并产生过冲和下冲电压,这些值会超出 MOSFET 漏源电压和栅极驱动器引脚的绝对最大额定值。此外,还会降低功率级的效率。);

 

5、对完整的大电流环路使用正确的布线宽度,最大限度地降低该电感可将电压纹波和噪声尽可能降低,并可减少对额外旁路电容的需求。右图才是最佳布局,uu们可以参考;

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6、电流检测开尔文连接,必须使用差分对来完成感测信号的布线;(后面回来看我这样走开尔文连接是不对的,避雷)

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正确姿势如下:

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或者使用专门的检流电阻:

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软件说明

就基本功能,能转;电流环什么的先挖坑,填不填不一定。

实物展示说明

注意事项

注意安全;

 

设计图
原理图
1 /
PCB
1 /
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1

sd1664010250_2.MP4

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