铁电U盘 · USB FRAM DISK
简介
永久存储、无限擦写、零延迟写入、抗辐射的铁电 U 盘
简介：永久存储、无限擦写、零延迟写入、抗辐射的铁电 U 盘开源协议
：CC BY-NC-SA 4.0
描述
铁电U盘
永久存储 · 无限擦写
项目简介
本项目是基于 CH331A 的小容量铁电存储器（FRAM）U 盘。采用铁电存储技术，支持一百万亿（1014）次读写耐久、151 年数据保持和无延迟写入*，是频繁数据记录与高可靠性工业应用的理想非易失性存储解决方案。本项目兼容 2Kbit~2048KBit 容量 SOP-8 封装的 FRAM 芯片。
项目使用 0Ω 电阻进行配置引脚电平设置，可对写保护（WP#）、仿真模式（SIN）、型号选择（ID1、ID0）引脚进行配置。
* 151 年数据保持时间的测试环境为 60℃，无延迟写入指支持 NoDelay™ 写入功能，数据均来自赛普拉斯 FM24W256-GTR 数据手册。
产品优势
永久存储
在 60℃ 下断电保存，数据可储存 151 年，显著长于其他产品。
无限擦写
近乎无限的 100 万亿（1014）次读写耐久。
零延迟写入
直接写入数据，无需擦除操作，速度瓶颈只在于 I2C 总线。
抗辐射
把数据"刻"进晶体，对宇宙射线、电磁干扰免疫。
方案介绍
CH331A 只要外加一个串行存储器芯片，就可以实现 2KB 到 4MB 的小容量U盘。兼容 USB 2.0，外围元器件只需要晶振和电容。原生支持 Windows 操作系统，除 Win 98 外无需任何驱动程序。
使用说明
写保护
将标有 WP# 的焊盘通过 0Ω 电阻连接到 0 一侧开启 U 盘数据写保护，以防止U盘数据被删改。连接到 1 一侧或不接关闭写保护。
存储器仿真模式
将标有 SIN 的焊盘通过 0Ω 电阻连接到 0 一侧设为文件模式，文件系统由 CH331 内部实现，整个外部存储器作为 U 盘中的一个文件，读写这个文件就是读写整个外部存储器，该功能可以用于IC卡的读卡器。
连接到 1 一侧或不接设为 U 盘模式，将整个外部存储器作为磁盘空间，文件系统在外部存储器中实现。
容量
标有 ID1 和 ID0 的焊盘用于配置 FRAM 容量类型。分为以下三组：
| ID1 | ID0 | 默认容量 | 可配置容量 |
|---|---|---|---|
| 0 | - | 16Kbit | 2Kbit、4Kbit、8Kbit |
| 1 | 1 | 64Kbit | 32Kbit |
| 1 | 0 | 256Kbit | 128Kbit、512Kbit、1024Kbit、2048Kbit |
存储器首个扇区用于定义配置信息，地址 001CH 至 001DH 用于定义 U 盘的容量，数据为 U 盘最大扇区号（总扇区数减去 1）
复刻说明
参考资料
- 排版使用了 PowerPico 的项目描述源代码；
- 有关存储性能的表述均来源于赛普拉斯 FM24W256-GTR 数据手册；
- 部分内存引用自 WCH CH331 数据手册。
注意事项
设计图
未生成预览图，请在编辑器重新保存一次BOM
暂无BOM
克隆工程
0知识产权声明&复刻说明
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