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4位半万用表+LCR电桥+7.2MSPS

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简介

本项目是基于STM32F407VET6+ADS1220完成的LCR电桥+4位半万用表+7.2MSPS采样示波器(代码部分还未完工)多功能仪表,可用作个人学习,使用。

简介:本项目是基于STM32F407VET6+ADS1220完成的LCR电桥+4位半万用表+7.2MSPS采样示波器(代码部分还未完工)多功能仪表,可用作个人学习,使用。
复刻成本:50

开源协议

GPL 3.0

创建时间:2025-12-22 21:26:00更新时间:2025-12-23 09:35:26

描述

视频链接:

所有完工后会录制实际演示视频

项目简介

本项目是基于STM32F407VET6+ADS1220完成的LCR电桥+4位半万用表+7.2MSPS采样示波器(代码部分还未完工)多功能仪表,可用作个人学习,使用。

作者主要优化了LCR电桥部分电容测量(达到了pf级的测量),因为这个用的比较多,理论上电感是同理的,但是作者还没有来得及优化。

项目功能

多参数精密测量功能

电压表+电桥+低采样率示波器
电桥主要功能展示(电容值为标称,因为没有专业的LCR电桥):
3pf:

5pf:

db7102f0f285a5117f2b73393058d931.jpg

3pf并联5pf:

0d61c4096344cbdbb1641bd6c7805412.jpg

33pf:

33uf:

c433041e21348dbdbc7ebf41897ae163.jpg

直流电压表(这里只有RIGOL的稳压电源来用作参考)
前面是正负级反接测量负压显示。

测量实际

LCR电桥部分

主参数测量:
测量频率有:
100Hz,120Hz,1kHz,10kHz,100kHz(目前测量会有一点飘)。

L (电感):目前只测量了2.2mH,4.7mH等mH级电感,作者现在没有其他电感。

C (电容):测量范围涵盖1pF 级到 200uF 级(需配合低频)。

R (电阻):测量范围涵盖 5Ω 到 1MΩ。

副参数测量:

ESR (等效串联电阻):评估电容老化程度及电源纹波承受能力。

D (损耗因数):评估电容的介质损耗(Loss Tangent)。

Q (品质因数):评估电感的高频性能及能量损耗。

4位半万用表

实现了200v以内的直流电压测量。

7.2MSPS示波器

不想浪费f407的资源,于是配置了交替采样的7.2MSPSADC,根据奈奎斯特定理,采样了3.6M的正弦波,fft分析后确实有7.2MSPS的采样率,但是由于DMA和DAC的资源冲突,两者不能共用,这个版本中没有焊接和配置代码,因为上一版作者直接使用交流耦合后进行增益和偏置,这一版想增加直流耦合,但是继电器还没有回来,所以就没有开始焊接。

项目参数

4位半的万用表(其实ADC性能远远不止,但是由于噪音和天线效应导致最后几位一直跳,没有参考意义了)。

pf级电容测量:目前测量了3pf,5pf,10pf,33pf,级别的测量,表现非常优秀。

原理解析

此处可填写项目的设计原理,将设计的原理拆分解析,示例:

本项目由以下部分组成,电源部分、主控、电容电感测量部分、ADC调理部分万用表部分。本项目主要是通过ADS1220这颗强大的24-bit的ADC,以及对应的基准源REF3425完成了主要部分的测量。

图1--电源电路:
输入是使用DC端子输入或者xh2.54输入,后期会配备电源板来提供供电。
使用π\pi型滤波+SPX3819高性能LDO为主控供电,这里对模拟电源和数字电源做了隔离,模拟地和数字地也做了隔离。
使用tps60403电荷泵产生-5V,ADP150-2.5产生+2.5v,TPS72325产生-2.5v。都使用的是LDO芯片来保证噪声较低,避免引起测量噪声。
重点!!!!!!!:在布线时,并非所有电路都可以做作者一样的模数地隔离,因为本项目的通信频率本身不高,所以这里直接做了一刀切,但是会导致地平面缺失,低速通信其实并无影响(毕竟ADS1220的通信只有20SPS),但是如果高速通信可能会引入很大的问题。
image.png

图2-直流电压表电路
这里使用的分压电阻其实是不合理的(但是作者比较懒,也不是那么影响就不在意了,最好应该10M欧的抽头,而且尽量使用精密电阻,作者这里直接简单测量后使用了1%精度的,也还行,但是还是有误差),这里使用mos管用作电压钳制,利用opa170来做跟随器,ADG1408用作主要功能的多路选择,主要测量ADC为ti的ADS1220。

image.png

图3-LCR电桥部分
这里使用了NE5532对f407的dac输出波形进行低通和高通滤波,滤除一个平滑的正弦波(实际只有10kHz,100kHz比较正弦,因为通带有点宽,作者一开始太贪心了,想要更多的测量频率,而且NE5532并不适合做这个运放,因为它没有什么驱动能力,但是奈何它太便宜了,作者手上还有很多,所以就使用这个了,对大电容的测量比较不友好)
主要测量原理为:

Vout=ZxRrefVsrcV_{out}=-\frac{Z_{x}}{R_{ref}}V_{src}

其中X为待测元件,RrefR_{ref}为参考电阻,VsrcV_{src}为f407的dac正弦波输出,VoutV_{out}为运放的输出,这里必须使用JFET运放,尽可能轨到轨的单运放,反相端接地,这样子可以消除寄生电容,然后根据“虚短,虚断”便可以得到基本计算公式。

然后使用CD4053进行IQ解调,其实本质就是与DAC同频的PWM波(方波)驱动CD4053,就相当于输出波形和需要解调的频率的一个方波相乘了,完成了IQ解调,调整ARR就可以得到相位差为90o90^o的方波,然后经过三阶低通滤波就可以得到直流分量交给ADC采集,然后完成数学运算,具体由Gemini给出的复数运算得到相位差:
根据基尔霍夫电压定律(KVL)与欧姆定律的复数形式,该系统的传递函数
H(jω)H(j\omega) 定义为:

H(jω)=V˙outV˙src=ZxRref+ZxV˙out(Rref+Zx)=V˙srcZxZx=RrefV˙outV˙srcV˙outZx=RrefV˙outΔV˙V˙out=a+jbΔV˙=c+jdZx=Rref[(ac+bd)c2+d2+j(bcad)c2+d2]H(j\omega) = \frac{\dot{V}_{out}}{\dot{V}_{src}} = \frac{Z_x}{R_{ref} + Z_x} \\ \dot{V}_{out} (R_{ref} + Z_x) = \dot{V}_{src} Z_x \\ Z_x = R_{ref} \cdot \frac{\dot{V}_{out}}{\dot{V}_{src} - \dot{V}_{out}} \\ Z_x = R_{ref} \cdot \frac{\dot{V}_{out}}{\Delta \dot{V}} \\ \dot{V}_{out} = a + jb \\ \Delta \dot{V} = c + jd \\ Z_x = R_{ref} \cdot \left[ \frac{(ac + bd)}{c^2 + d^2} + j \frac{(bc - ad)}{c^2 + d^2} \right]

原理并不难,这里代码交给AI运算就好。
image.png

软件代码

作者优化完之后会开源接受指导与批评,目前只提供hex烧录代码。

注意事项

  • R5,R49和R82是磁珠,没有可以选择0欧电阻
  • 左边两个是lcr电桥,右正左负,右边两个是电压表,同理
  • 滤波电容可以自己调整,要求并不严格
  • 滤波器设计有ADI软件完成:https://tools.analog.com/cn/filterwizard/
  • 布板不建议参考,因为低速,所以连上就可以用
  • 作者是在读本科生,设计能力有限,如果有问题,请多谅解与指正,接受各位的批评

组装流程

先装电源测试各个电压,一步一步来->MCU
其他并无先后

实物图

1899ec6342764f8b67a23fd87d6b6229.jpg

设计图

未生成预览图,请在编辑器重新保存一次

BOM

暂无BOM

3D模型

序号文件名称下载次数
暂无数据

附件

序号文件名称下载次数
1
电压表+LCR_JLC_V2.epro
26
2
DAC滤波器设计.ms14
29
3
T_AvoMeter.hex
23
克隆工程
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